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 在庫は時期によりまして 変動することがございます |
書籍情報
材料系技術者と,デバイス技術者の相互理解を深めることを目的とし,半導体デバイスの基礎および使用される材料とそのプロセス技術を材料科学的に取り扱う. |
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材料学シリーズ:堂山昌男・小川恵一・北田正弘 監修 |
半導体材料工学
材料とデバイスをつなぐ
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A5/280頁 定価(本体3800円+税) 978-4-7536-5623-3
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大貫 仁(工学博士) 著 |
目 次 |
第1章 半導体技術の歴史 半導体デバイスの歴史/製造プロセスの歴史 第2章 半導体デバイス物理の基礎 固体のバンド理論/半導体における電子と正孔の挙動/フェルミ-ディラックの分数関数とキャリア密度/半導体の電気伝導機構/pn接合の物理/MOSトランジスタの物理 第3章 半導体ウエハプロセスの概要 CMOSプロセス/トランジスタおよび配線スケーリング 第4章 半導体デバイスと金属界面の物理 金属と半導体界面の理論/オーミック接合/AlとSiとのオーミック接合 第5章 半導体ウエハプロセスにおける配線材料形成技術 PVD技術/CVD技術/接着層形成技術 第6章 微細加工技術 リソグラフィー技術/エッチング技術/CMP技術 第7章 薄膜配線材料の信頼性物理 エレクトロマイグレーション/エレクトロマイグレーションの測定方法/耐エレクトロマイグレーション性向上の方法/ストレスマイグレーション/積層配線の耐EM性/Al配線におけるSiの析出/配線材料の腐食/配線の密着性 第8章 実装技術および材料 概要/チップボンディング技術/ワイヤボンディング技術/ワイヤレスボンディング技術 第9章 パワー半導体デバイスの実装技術および信頼性物理 IGBTの断面素子構造/IGBTのモジュール化技術/太線ワイヤボンディング技術/大面積はんだ接合部のボイドフリー化技術
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