内田老鶴圃 書籍サポート情報 お問い合わせ twitter



ヒューム・ロザリー電子濃度則の物理学






在庫は時期によりまして
変動することがございます

書籍情報
本書は自由電子模型を越えた初めての統一的な理論体系の確立となる研究成果をまとめた一冊である.専門性の高い研究を丁寧に分かりやすく解説し,将来の課題解決につなぐ内容となっている.
ヒューム・ロザリー電子濃度則の物理学
FLAPW-Fourier理論による電子機能材料開発
A5/248頁 定価(本体6000円+税) 978-4-7536-2101-9
水谷宇一郎(工学博士)/佐藤洋一(理学博士) 著
まえがき 著者略歴

目 次
第1章 ヒューム・ロザリー電子濃度則とは
1.1 はじめに
1.2 電子濃度の定義
1.3 ヒューム・ロザリー電子濃度則と自由電子模型
1.4 ポーリングおよびレイナーにより提唱された遷移金属元素に対するe/a仮説とその影響力
1.5 ヒューム・ロザリー型相安定化機構と擬ギャップ問題
1.6 固溶体と化学量論的定比化合物
参考文献

第2章 WIEN2kを用いたFLAPW-Fourier解析法
2.1 WIEN2k-FLAPWプログラムパッケージ
2.2 FLAPW-Fourier法とFFスペクトルの原理
2.3 波数ベクトルと逆格子ベクトルの表示法
2.4 β-Mn(cP20)のFFスペクトルとその物理
2.5 γ-Mn(cF4)とδ-Mn(cI2)のFFスペクトル
2.6 ヒューム・ロザリープロットとその物理
2.7 四面体法によるHRプロットの精度向上
2.8 遍歴電子性の判定法
2.9 local reading法とNFE法
2.10 重心法を使うNFE近似の原理
2.11 β-Mn(cP20),γ-Mn(cF4)およびδ-Mn(cI2)のHRプロット
参考文献

第3章 周期律表元素の電子構造とe/aの決定
3.1 はしがき
3.2 周期2の元素
Li(cI2)/Be(hP2)/B(hR12)/C(diamond, cF8)
3.3 周期3の元素
Na(cI2)/Mg(hP2)/Al(cF4)/Si(cF8)/P(oC8)/絶縁体相S(mP28)と高圧金属相S(hR1)/Cl(oS8)
3.4 周期4の元素
K(cI2)/Ca(cF4)/Sc(hP2)/Ti(hP2)/V(cI2)とCr(cI2)/α-Mn(cI58)/Fe(cI2)とCo(hP2)/Ni(cF4)/Cu(cF4)/Zn(hP2)/Ga(oC8)とGa(oC40)/Ge(cF8)とAs(hR2)/絶縁体相Se(mP32)と高圧金属相Se(hR1)/絶縁体相Br(oC4)と高圧金属相Br(oI2)
参考文献

第4章 結合形態による金属間化合物の分類
4.1 はしがき
4.2 アレンの電気陰性度
4.3 アレンの電気陰性度を使ったファンアーケル-ケテラー三角図の作成
4.4 アレンの電気陰性度を越えたファンアーケル-ケテラー三角図の作成
参考文献

第5章 Al-およびZn-基金属間化合物のヒューム・ロザリー電子濃度則
5.1 はしがき
5.2 Al-MおよびZn-M(M=Mg,Ca〜Cu)系の金属間化合物群
Al-Mg系/Al-CaおよびZn-Ca系/Al-ScおよびZn-Sc系/Al-Ti系/Al-V系/Al-Cr系/Al-Mn系/Al-Fe系/Al-Co系/Al-Ni系/Al-CuおよびZn-Cu系
参考文献

第6章 ジントル化合物のヒューム・ロザリー電子濃度則
6.1 はしがき
6.2 I-III化合物
6.3 I-II化合物
6.4 ジントル化合物のヒューム・ロザリー電子濃度則
参考文献

第7章 P-基金属間化合物のヒューム・ロザリー電子濃度則
7.1 はしがき
7.2 ファンアーケル-ケテラー三角図上のPを基とする金属間化合物群
7.3 第15族の元素P(oC8),As(hR2),Sb(hR2)およびBi(hR2)
7.4 Si-PおよびGe-P系の化合物
7.5 3d-遷移金属(TM=Sc〜Ni)とPの化合物群
Sc-P系/Ti-PおよびV-P系/Cr-PおよびMn-P系/Fe-PおよびCo-P系/Ni-P系
7.6 Cu-PおよびZn-P系
7.7 Mg-PおよびCa-P系
7.8 A(A=Li,Na,K,Rb,Cs)-P系
参考文献

第8章 ヒューム・ロザリー電子濃度則と干渉条件
8.1 はしがき
8.2 新しいヒューム・ロザリー電子濃度則の探索法
8.3 近似結晶のヒューム・ロザリー電子濃度則
RT型1/1-1/1-1/1近似結晶/RT型2/1-2/1-2/1近似結晶/MI型1/1-1/1-1/1近似結晶/Tsai型1/1-1/1-1/1近似結晶
8.4 ヒューム・ロザリー電子濃度則に従う化合物群
8.5 e/uc−|G|c2プロットと結合形態によらない干渉効果
参考文献

第9章 ヒューム・ロザリー電子濃度則の材料開発への応用
9.1 はしがき
9.2 III-V化合物の電子構造
9.3 e/a=4.0を持つ新規電子機能材料の開発研究
参考文献

付録A 軌道混成効果
付録B 式(2.1)のフーリエ係数|Cjk+G|2の規格化
付録C ブラベー格子とピアソン記号



HOME新刊・近刊案内書籍検索購入案内会社案内お問い合わせ書籍サポート情報